ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров

Терминология ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа:

11. Акцептор

Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны

Определения термина из разных документов: Акцептор

13. Акцепторная примесь

Примесь, атомы которой являются акцепторами

Определения термина из разных документов: Акцепторная примесь

58. Биполярная диффузия неравновесных носителей заряда полупроводника

Биполярная диффузия

Совместная диффузия неравновесных электронов и дырок при наличии электрического поля

Определения термина из разных документов: Биполярная диффузия неравновесных носителей заряда полупроводника

50. Биполярная световая генерация носителей заряда полупроводника

Биполярная световая генерация

Возникновение в полупроводнике в результате оптического возбуждения равного числа носителей зарядов обоих знаков

Определения термина из разных документов: Биполярная световая генерация носителей заряда полупроводника

78. Валентная зона полупроводника

Валентная зона

Верхняя из заполненных зон полупроводника

Определения термина из разных документов: Валентная зона полупроводника

9. Вырожденный полупроводник

Полупроводник, уровень Ферми в котором расположен в зоне проводимости или в валентной зоне, или же в запрещенной зоне на расстоянии от границ указанных зон, меньшем кТ

Определения термина из разных документов: Вырожденный полупроводник

47. Генерация носителей заряда полупроводника

Генерация

Процесс превращения связанного электрона в свободный, сопровождающийся образованием незавершенной связи с избыточным положительным зарядом

Определения термина из разных документов: Генерация носителей заряда полупроводника

48. Генерация пары носителей заряда

Генерация пары

Возникновение в полупроводнике пары электрон проводимости - дырка проводимости в результате энергетического воздействия

Определения термина из разных документов: Генерация пары носителей заряда

19. Горячие носители заряда

Неравновесные носители заряда полупроводника, средняя энергия которых существенно превышает равновесную энергию, соответствующую температуре кристаллической решетки

Определения термина из разных документов: Горячие носители заряда

82. Демаркационный уровень полупроводника

Демаркационный уровень

Локальный энергетический уровень полупроводника, для которого процессы рекомбинации и возврата в разрешенную зону в результате тепловых колебаний решетки равновероятны

Определения термина из разных документов: Демаркационный уровень полупроводника

4. Дефект решетки

Нарушение периодичности решетки кристалла

Определения термина из разных документов: Дефект решетки

33. Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника

Диффузионная длина

Расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в е раз

Определения термина из разных документов: Диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника

56. Диффузионный ток

Направленное движение зарядов в полупроводнике, возникающее вследствие градиента концентрации носителей заряда

Определения термина из разных документов: Диффузионный ток

37. Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника

Длина дрейфа

Средняя длина переноса неравновесных носителей заряда в полупроводнике электрическим полем за время, прошедшее с момента их возбуждения до рекомбинации

Определения термина из разных документов: Длина дрейфа неравновесных носителей заряда полупроводника

12. Донор

Дефект решетки, способный при возбуждении отдать электрон в зону проводимости

Определения термина из разных документов: Донор

14. Донорная примесь

Примесь, атомы которой являются донорами

Определения термина из разных документов: Донорная примесь

57. Дрейфовый ток

Направленное движение носителей заряда в полупроводнике, вызванное градиентом потенциала электрического поля

Определения термина из разных документов: Дрейфовый ток

14. Дырка проводимости

Дырка

Незаполненная валентная связь, которая проявляет себя как положительный заряд, численно равный заряду электрона

Определения термина из разных документов: Дырка проводимости

21. Дырочная электропроводность

Ндп. Дырочная проводимость

Электропроводность полупроводника, обусловленная в основном перемещением дырок проводимости

Определения термина из разных документов: Дырочная электропроводность

6. Дырочный полупроводник

Полупроводник, электропроводность которого обусловлена в основном перемещением дырок проводимости

Определения термина из разных документов: Дырочный полупроводник

77. Заполненная зона полупроводника

Заполненная зона

Разрешенная зона полупроводника, в которой при абсолютном нуле температуры все энергетические уровни заняты электронами

Определения термина из разных документов: Заполненная зона полупроводника

74. Запрещенная зона полупроводника

Запрещенная зона

Область значений энергии, которыми не могут обладать электроны в полупроводнике

Определения термина из разных документов: Запрещенная зона полупроводника

44. Захват носителя заряда полупроводника

Захват носителя

Исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника

Определения термина из разных документов: Захват носителя заряда полупроводника

76. Зона проводимости полупроводника

Зона проводимости

Свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости

Определения термина из разных документов: Зона проводимости полупроводника

28. Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника

Избыточная концентрация

Избыток концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике над концентрацией равновесных носителей заряда

Определения термина из разных документов: Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника

42. Инверсионный слой полупроводника

Инверсионный слой

Приповерхностный слой полупроводника, обладающий электропроводностью, противоположной по закону электропроводности глубинных слоев

Определения термина из разных документов: Инверсионный слой полупроводника

20. Инверсия населенностей

Состояние полупроводника, при котором концентрация носителей заряда на возбужденных уровнях выше равновесной

Определения термина из разных документов: Инверсия населенностей

45. Инжекция носителей заряда

Инжекция

Введение носителя заряда в полупроводник

Определения термина из разных документов: Инжекция носителей заряда

40. Концентрация вырождения полупроводника

Концентрация вырождения

Минимальная концентрация носителей заряда, соответствующая вырождению полупроводника при данной температуре

Определения термина из разных документов: Концентрация вырождения полупроводника

27. Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника

Неравновесная концентрация

Концентрация носителей заряда в полупроводнике, отличная от равновесной

Определения термина из разных документов: Концентрация неравновесных носителей заряда полупроводника

18. Коэффициент диффузии носителей заряда

Отношение плотности потока подвижных носителей заряда одного типа к градиенту их концентрации в отсутствие электрического и магнитного полей

Определения термина из разных документов: Коэффициент диффузии носителей заряда

61. Кристалл-фотоэффект

Возникновение электрического поля в однородном неравномерно освещенном полупроводнике

Определения термина из разных документов: Кристалл-фотоэффект

30. Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника Критическая концентрация дырок

Концентрация дырок проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с верхней границей валентной зоны

Определения термина из разных документов: Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника

29. Критическая концентрация электронов проводимости полупроводника

Критическая концентрация электронов

Концентрация электронов проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости

Определения термина из разных документов: Критическая концентрация электронов проводимости полупроводника

9. Ловушка захвата

Ловушка

Дефект решетки, способный захватывать подвижные носители заряда с последующим их освобождением

Определения термина из разных документов: Ловушка захвата

80. Локальный энергетический уровень полупроводника

Локальный уровень

Энергетический уровень, расположенный в запрещенной зоне полупроводника, обусловленный дефектом решетки, когда взаимодействием отдельных дефектов можно пренебречь

Определения термина из разных документов: Локальный энергетический уровень полупроводника

69. Магниторезистивный эффект

Изменение электрического сопротивления полупроводника под действием магнитного поля

Определения термина из разных документов: Магниторезистивный эффект

52. Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника

Межзонная рекомбинация

Ндп. Прямая рекомбинация

Рекомбинация носителей заряда полупроводника, осуществляемая путем перехода свободного электрона в валентную зону

Определения термина из разных документов: Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника

49. Монополярная световая генерация носителей заряда полупроводника

Монополярная световая генерация

Возникновение в полупроводнике в результате оптического возбуждения неравновесных носителей одного знака

Определения термина из разных документов: Монополярная световая генерация носителей заряда полупроводника

10. Невырожденный полупроводник

Полупроводник, уровень Ферми в котором расположен в запрещенной зоне на расстоянии от ее границ, большем кТ

Определения термина из разных документов: Невырожденный полупроводник

16. Неосновные носители заряда полупроводника

Неосновные носители

Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике меньше, чем концентрация основных носителей заряда

Определения термина из разных документов: Неосновные носители заряда полупроводника

18. Неравновесные носители заряда полупроводника

Неравновесные носители

Носители заряда полупроводника, не находящиеся в термодинамическом равновесии по концентрации и (или) по энергетическому распределению

Определения термина из разных документов: Неравновесные носители заряда полупроводника

13. Носитель заряда

По ГОСТ 19880-74

Определения термина из разных документов: Носитель заряда

34. Объемное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника

Объемное время жизни

Среднее время между генерацией и рекомбинацией неравновесных носителей зарядов в объеме полупроводника

Определения термина из разных документов: Объемное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника

19. Оптическое возбуждение

Ндп. Оптическая накачка

Генерация неравновесных носителей заряда при оптическом обучении полупроводника

Определения термина из разных документов: Оптическое возбуждение

43. Освобождение носителя заряда полупроводника

Освобождение носителя

Возникновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате возбуждения дефекта решетки полупроводника

Определения термина из разных документов: Освобождение носителя заряда полупроводника

15. Основные носители заряда полупроводника

Основные носители

Носители заряда, концентрация которых в данном полупроводнике преобладает

Определения термина из разных документов: Основные носители заряда полупроводника

55. Поверхностная рекомбинация носителей заряда полупроводника

Поверхностная рекомбинация

Рекомбинация носителей заряда на поверхностных дефектах полупроводника

Определения термина из разных документов: Поверхностная рекомбинация носителей заряда полупроводника

35. Поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника

Поверхностное время жизни

Отношение избыточного количества неравновесных носителей заряда в объеме полупроводника к плотности их потока на поверхности

Определения термина из разных документов: Поверхностное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника

8. Поверхностный дефект решетки

Дефект решетки, локализующийся в приповерхностном слое полупроводникового материала на глубинах, соизмеримых с параметрами решетки

Определения термина из разных документов: Поверхностный дефект решетки

15. Подвижность носителей заряда

Подвижность

Отношение средней установившейся скорости перемещения носителей заряда в направлении электрического поля к напряженности последнего

Определения термина из разных документов: Подвижность носителей заряда

2. Полупроводник

По ГОСТ 19880-74*

Определения термина из разных документов: Полупроводник

2. Полярон

Квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации

Определения термина из разных документов: Полярон

67. Поперечный термогальваномагнитный эффект

Ндп. Эффект Эттингсхаузена

Возникновение поперечного градиента температур в полупроводнике вследствие разброса скоростей носителей при протекании электрического тока и при воздействии поперечного магнитного поля

Определения термина из разных документов: Поперечный термогальваномагнитный эффект

83. Примесная зона полупроводника

Примесная зона

Энергетическая зона, образованная при взаимодействии примесей совокупностью примесных уровней, находящихся в запрещенной зоне полупроводника

Определения термина из разных документов: Примесная зона полупроводника

23. Примесная электропроводность полупроводника

Примесная электропроводность

Электропроводность полупроводника, обусловленная ионизацией атомов донорной или акцепторной примесей при любом способе возбуждения

Определения термина из разных документов: Примесная электропроводность полупроводника

24. Примесное поглощение

Поглощение полупроводником оптического излучения, обусловленное возбуждением примесных дефектов

Определения термина из разных документов: Примесное поглощение

5. Примесный дефект решетки

Примесный дефект

Дефект решетки, созданный атомом постороннего элемента

Определения термина из разных документов: Примесный дефект решетки

7. Примесный полупроводник

Полупроводник, электропроводность которого определяется примесями

Определения термина из разных документов: Примесный полупроводник

81. Примесный уровень полупроводника

Примесный уровень

Локальный энергетический уровень полупроводника, обусловленный примесью

Определения термина из разных документов: Примесный уровень полупроводника

1. Проводниковый материал

Материал, предназначенный для использования его полупроводниковых свойств

Определения термина из разных документов: Проводниковый материал

68. Продольный термогальваномагнитный эффект

Эффект Нернста

Возникновение продольного градиента температур в полупроводнике вследствие разброса скоростей носителей зарядов при протекании через него электрического тока и при воздействии поперечного магнитного поля

Определения термина из разных документов: Продольный термогальваномагнитный эффект

3. Простой полупроводник

Полупроводник, основной состав которого образован атомами одного химического элемента

Определения термина из разных документов: Простой полупроводник

59. Прямой переход в полупроводнике

Прямой переход

Ндп. Вертикальный переход

Переход электрона в полупроводнике из валентной зоны в зону проводимости с сохранением волнового вектора

Определения термина из разных документов: Прямой переход в полупроводнике

26. Равновесная концентрация носителей заряда полупроводника

Равновесная концентрация

Концентрация подвижных носителей заряда в полупроводнике в условиях термодинамического равновесия

Определения термина из разных документов: Равновесная концентрация носителей заряда полупроводника

17. Равновесные носители заряда полупроводника

Равновесные носители

Ндп. Тепловые носители

Носители заряда, возникновение которых явилось следствием тепловых колебаний кристаллической решетки полупроводника в условиях термодинамического равновесия

Определения термина из разных документов: Равновесные носители заряда полупроводника

73. Разрешенная зона полупроводника

Разрешенная зона

Энергетическая зона или совокупность перекрывающихся в результате расщепления из какого-либо одного или нескольких энергетических уровней изолированных атомов в процессе образования структуры кристалла

Определения термина из разных документов: Разрешенная зона полупроводника

10. Рекомбинационная ловушка

Ндп. Центр рекомбинации

Ловушка захвата, нейтрализующая захваченные носители заряда

Определения термина из разных документов: Рекомбинационная ловушка

51. Рекомбинация носителей заряда полупроводника

Рекомбинация

Нейтрализация пары электрон проводимости - дырка проводимости

Определения термина из разных документов: Рекомбинация носителей заряда полупроводника

75. Свободная зона полупроводника

Разрешенная зона полупроводника, в которой отсутствуют электроны проводимости при абсолютном нуле температуры

Определения термина из разных документов: Свободная зона полупроводника

12. Скомпенсированный полупроводник

Примесный полупроводник, в котором в нормальных условиях концентрации электронов проводимости и дырок проводимости одинаковы

Определения термина из разных документов: Скомпенсированный полупроводник

38. Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника

Скорость поверхностной рекомбинации

Отношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей заряда у поверхности

Определения термина из разных документов: Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника

4. Сложный полупроводник

Полупроводник, основной состав которого образован атомами двух или большего числа химических элементов

Определения термина из разных документов: Сложный полупроводник

25. Собственная концентрация носителей заряда полупроводника

Собственная концентрация

Концентрация равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике

Определения термина из разных документов: Собственная концентрация носителей заряда полупроводника

22. Собственная электропроводность

Ндп. Собственная проводимость

Электропроводность полупроводника, обусловленная генерацией пар электрон проводимости - дырка проводимости при любом способе возбуждения

Определения термина из разных документов: Собственная электропроводность

22. Собственное поглощение света

Собственное поглощение

Поглощение полупроводником оптического излучения, обусловленное переходом электронов из валентной зоны в зону проводимости

Определения термина из разных документов: Собственное поглощение света

8. Собственный полупроводник

Полупроводник, не содержащий примесей, влияющих на его электропроводность

Определения термина из разных документов: Собственный полупроводник

16. Среднее время свободного пробега носителя заряда

Время пробега

Среднее время между двумя последовательными соударениями носителей заряда

Определения термина из разных документов: Среднее время свободного пробега носителя заряда

17. Средняя длина свободного пробега носителей заряда

Длина свободного пробега

Среднее расстояние между двумя последовательными соударениями носителя заряда

Определения термина из разных документов: Средняя длина свободного пробега носителей заряда

41. Степень компенсации полупроводника

Степень компенсации

Отношение концентрации неосновных носителей заряда, созданных возбужденной примесью, и собственных носителей заряда полупроводника

Определения термина из разных документов: Степень компенсации полупроводника

6. Стехиометрический дефект решетки

Стехиометрический дефект

Дефект решетки в соединении, созданный избытком или недостатком атомов по сравнению со стехиометрическим составом

Определения термина из разных документов: Стехиометрический дефект решетки

66. Термогальванический эффект

Ндп. Эффект Нернста-Эттингсхаузена

Возникновение поперечной напряженности электрического поля в полупроводнике вследствие наличия продольного градиента температур и поперечного магнитного поля

Определения термина из разных документов: Термогальванический эффект

64. Термомагнитный эффект

Ндп. Эффект Риги-Ледюка

Возникновение поперечного градиента температур в полупроводнике при наличии продольного градиента температур и при воздействии поперечного магнитного поля

Определения термина из разных документов: Термомагнитный эффект

7. Точечный дефект решетки

Стехиометрический дефект решетки, эффективные размеры которого порядка параметра решетки

Определения термина из разных документов: Точечный дефект решетки

26. Уровень Ферми

Энергетический уровень, вероятность заполнения которого равна 0,5 при температурах, отличных от температуры абсолютного нуля

Определения термина из разных документов: Уровень Ферми

63. Фотомагнитоэлектрический эффект

Возникновение в полупроводнике электрического поля, напряженность которого перпендикулярна магнитной индукции и потоку диффундирующих частиц под действием электромагнитного излучения

Определения термина из разных документов: Фотомагнитоэлектрический эффект

54. Фотонная рекомбинация носителей заряда полупроводника

Фотонная рекомбинация

Межзонная рекомбинация носителей заряда полупроводника, сопровождающаяся передачей акустической энергии кристаллической решетке

Определения термина из разных документов: Фотонная рекомбинация носителей заряда полупроводника

24. Фотопроводимость

Электропроводность полупроводника, обусловленная фоторезистивным эффектом

Определения термина из разных документов: Фотопроводимость

60. Фоторезистивный эффект

Изменение электрического сопротивления полупроводника, обусловленное исключительно действием оптического излучения и не связанное с его нагреванием

Определения термина из разных документов: Фоторезистивный эффект

25. Фотоэлектрическое поглощение

Изменение поглощения оптического излучения в результате смещения границы собственного поглощения под воздействием на полупроводник электрического поля

Определения термина из разных документов: Фотоэлектрическое поглощение

11. Частично компенсированный полупроводник

Примесный полупроводник, электронная (дырочная) проводимость которого частично компенсирована дырочной (электронной) проводимостью примесей

Определения термина из разных документов: Частично компенсированный полупроводник

79. Ширина запрещенной зоны полупроводника

Ширина запрещенной зоны

Разность энергий между нижним уровнем зоны проводимости и верхним уровнем валентной зоны полупроводника

Определения термина из разных документов: Ширина запрещенной зоны полупроводника

3. Экситон

Квазичастица, представляющая собой электрически нейтральное состояние возбуждения электронов, способное перемещаться на много постоянных решетки и не сопровождающееся возникновением дополнительной проводимости

Определения термина из разных документов: Экситон

23. Экситонное поглощение

Поглощение полупроводником оптического излучения, сопровождающееся образованием экситона

Определения термина из разных документов: Экситонное поглощение

46. Экстракция носителей заряда

Экстракция

Выведение носителя заряда из полупроводника

Определения термина из разных документов: Экстракция носителей заряда

21. Электрическое возбуждение

Возникновение инверсии населенностей в полупроводнике в результате воздействия электрического поля

Определения термина из разных документов: Электрическое возбуждение

1. Электрон проводимости

Электрон, создающий электропроводность

Определения термина из разных документов: Электрон проводимости

20. Электронная электропроводность полупроводника

Электронная электропроводность

Ндп. Электронная проводимость

Электропроводность полупроводника, обусловленная в основном перемещением электронов проводимости

Определения термина из разных документов: Электронная электропроводность полупроводника

5. Электронный полупроводник

Полупроводник, электропроводность которого обусловлена в основном перемещением электронов проводимости

Определения термина из разных документов: Электронный полупроводник

65. Электротермический эффект

Ндп. Эффект Томсона

Выделение или поглощение тепловой энергии, обусловленное продольным градиентом температуры при протекании электрического тока через однородный полупроводник

Определения термина из разных документов: Электротермический эффект

72. Энергетическая зона полупроводника

Энергетическая зона

Область значений полной энергии электронов в кристалле полупроводника

Определения термина из разных документов: Энергетическая зона полупроводника

39. Энергия активации примесей полупроводника

Энергия активации

Минимальная энергия возбуждения примесного атома, необходимая для создания примесной электропроводности полупроводника

Определения термина из разных документов: Энергия активации примесей полупроводника

71. Эффект Ганна

Генерация высокочастотных колебаний электрического тока в полупроводнике под действием постоянного электрического поля

Определения термина из разных документов: Эффект Ганна

62. Эффект поля в полупроводнике

Эффект поля

Изменение электропроводности приповерхностного слоя полупроводника под воздействием электрического поля

Определения термина из разных документов: Эффект поля в полупроводнике

70. Эффект Холла

Возникновение поперечного электрического поля при протекании электрического тока через полупроводник, помещенный в магнитное поле

Определения термина из разных документов: Эффект Холла

31. Эффективная масса носителя заряда полупроводника

Эффективная масса носителя заряда

Величина, имеющая размерность массы и характеризующая движение носителя заряда в полупроводнике под действием внешнего электромагнитного поля

Определения термина из разных документов: Эффективная масса носителя заряда полупроводника

36. Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника

Эффективное время жизни

Величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда вследствие их рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника

Определения термина из разных документов: Эффективное время жизни неравновесных носителей заряда полупроводника

32. Эффективное сечение захвата носителя заряда полупроводника

Эффективное сечение захвата

Величина, имеющая размерность площади и обратная произведению концентрации носителей заряда данного типа в полупроводнике на средний путь, проходимый носителями от освобождения до захвата

Определения термина из разных документов: Эффективное сечение захвата носителя заряда полупроводника